注入温度对Mn+注入p-GaN薄膜的结构和磁性影响
在(0001)面的蓝宝石衬底上用低压MOCVD法生长p型GaN外延层.对p型GaN薄膜用180keV的Mn+离子注入进行磁性粒子掺杂,注入剂量保持为5.0×1015cm-2,但注入时p型GaN分别处于室温、300℃和500℃.对注入的样品在N2气流中进行快速热退火处理,温度为850℃、时间为30s.用超导量子干涉仪(SQUID)对样品的磁性进行了分析,室温下注入样品的磁响应较弱,未发现铁磁性；在300℃下注入的样品中发现有较强的铁磁性,更高的500℃的注入温度并不能进一步增强铁磁性。结合用X射线衍射(XRD)对不同注入温度样品的结构研究,揭示只有适当的注入温度(300℃)才有利于GaN晶格的恢复和铁磁性的产生.
GaN 离子注入 注入温度 薄膜
石瑛 蒋昌忠 范湘军
武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072
国内会议
武汉
中文
1026-1029
2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）