衬底温度对电子束反应蒸发生长的ZnxCo1-xO薄膜性能的影响
采用电子束反应蒸发法生长ZnxCo1-xO薄膜。通过X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、光致荧光光谱(PL)、室温M-H曲线等测量研究衬底温度对Zn0.75Co0.25O薄膜微结构及光学、磁学特性的影响。结果表明,250～350℃温度范围内生长的Zn0.75Co0.25O薄膜具有单一的纤锌矿结构,但当温度超过400℃时产生CoO杂相偏析。在300或350℃衬底温度下生长Zn0.75Co0.25O薄膜具有室温铁磁性,PL测量结果表明Zn0.75Co0.25O薄膜的室温铁磁性很可能起源于氧空位缺陷诱导的自旋劈裂杂质带机制.而250℃生长Zn0.75Co0.25O薄膜在室温下呈现超顺磁性,超顺磁性的产生是Zn0.75Co0.25O晶粒的小尺寸效应所导致.
ZnxCo1-xO薄膜 微结构 光学特性 磁特性 电子束反应蒸发法
刘谱成 邱东江 施红军 蒋银土 顾智企 吴惠桢
浙江大学,物理系,浙江,杭州,310027 浙江大学,信息与电子工程学系,浙江,杭州,310027 浙江大学,化学系,浙江,杭州,310028
国内会议
武汉
中文
1014-1017
2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）