纳米掺杂SnO2的研究及其第一性原理的计算
利用Castap软件计算了Co以不同比例掺杂SnO2的电子结构,分析了掺杂及掺杂比例对改善SnO2导电性的作用,建立了纯SnO2计算模型。计算结果表明：纯SnO2是一种包含离子键的共价键直接禁带半导体；通过掺杂能够在一定程度上改变成键性质,使其具有金属键性质,从而提高SnO2导电性。其中,掺杂比率为5％的价带到中间能级宽度最小,掺杂原子与其邻近原子的电荷重叠区更明显,系统电子共有化程度最高,费米能级处对电子态密度的贡献也最大,因此掺杂比率为5％的导电性最好。
第一性原理 SnO2 电子结构 掺杂
刘志勇 郑冀 李松林
天津大学,材料科学与工程学院,天津,300072
国内会议
武汉
中文
539-542
2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）