In含量变化对N-In共掺杂ZnO薄膜的结构和性能的影响
采用超声雾化热解法制备ZnO薄膜,对比分析了不同In含量的N-In共掺杂ZnO薄膜的显微结构,电学和光学性质.实验结果表明在N-In共掺杂条件下In的含量对ZnO薄膜的显微结构及性能有明显的影响。In的掺入使得ZnO中总体缺陷减少,晶粒外形更规则,c轴取向性更好。引入In能使ZnO更容易向p型转变；当前驱体溶液中In的比例＞0.03后,可以显著改善ZnO薄膜的电学性能和光学性能。
ZnO薄膜 NIn共掺杂 薄膜缺陷 光致发光 超声雾化热解法
罗红波 谭劲 杨福华 池召坤
中国地质大学(武汉)材料科学与化学工程学院,湖北,武汉,430074
国内会议
武汉
中文
59-62
2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）