不同微观形貌所引起的聚二氧乙撑噻吩的光电性能改变
通过无模板法并以功能掺杂酸樟脑磺酸作为掺杂剂,分别在过硫酸铵和三氯化铁为氧化剂的情况下,制得了直径为50～150nm的纳米球形的聚二氧乙撑噻吩(PEDOT)和直径为80～150nm的纳米棒状的PEDOT.由于三氯化铁的氧化还原势能远低于过硫酸铵使得氧化的速率降低,使PEDOT的生长能够更好的依照由单体和掺杂剂组成的柱状胶束而进行所产生的。两种不同微观形貌的PEDOT表现出了明显不同的光电性能。
聚乙撑二氧噻吩 樟脑磺酸 三氯化铁 纳米棒 光电性能 无模板法
李瑀 封伟 吴隽
天津大学,材料科学与工程学院,天津,300072
国内会议
武汉
中文
29-30
2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）