p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜的制备与研究

摘要：

以NH3和SiH4为反应源气体,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了一系列SiN薄膜并进行了相关性能测试。系统地分析讨论了反应源气体流量比和反应压强对SiN薄膜介电常数、电学性能及界面特性的影响。在制备高质量的p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜方面具有重要的参考价值。

关键词： PECVD SiN薄膜 反应源气体流量比 反应压强 射频等离子体增强 化学气相沉积 电学性能

作者: 张化福 刘汉法 祁康成

作者单位: 山东理工大学,物理与光电信息技术学院,山东,淄博,255049 电子科技大学,光电信息学院,四川,成都,610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 25-28

在线出版日期: 2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）