THz量子级联激光器的材料生长和器件制作

摘要：

采用分子束外延的方法,生长了GaAs/Al0.17Ga0.85As基共振声子辅助跃迁的太赫兹量子级联激光器结构,并按照单面金属波导的工艺进行了器件制作。材料的结构由高分辨X射线衍射来确定。在温度为9～150K的范围内,测量了器件的I-V曲线。

关键词： 太赫兹 量子级联激光器 分子束外延 器件制作 单面金属波导

作者: 韩英军 黎华 谭智勇 曹俊诚

作者单位: 中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 11-12

在线出版日期: 2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）