GaN MSM型紫外探测器

摘要：

采用以MOCVD设备生长的宽带隙非故意掺杂的n-GaN材料制备了金属-半导体-金属型的紫外光电探测器.在1.5V偏压下具有陡峭的截止边,表现出可见盲特性,其响应度为0.71A/W,峰值在362nm处,紫外/可见抑制比接近103.通过击穿单侧肖特基结对另一侧的肖特基结进行了测试,并以此对器件的工作方式和设计优化进行了分析。

关键词： 紫外探测器 可见盲特性 宽带隙 肖特基结 光电探测器

作者: 姜文海 陈辰 李忠辉 周建军 董逊

作者单位: 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室,南京,210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 2007年全国微波毫米波会议

会议地点: 宁波

会议语种:中文

页码: 1698-1700

在线出版日期: 2007-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）