硅粉在冷等离子体中的刻蚀纯化
介绍了一种用直流辉光放电产生的冷等离子体对硅粉刻蚀纯化的方法。实验是在氩气氛中进行,结果表明硅粉纯度可由97.66％提高到98.47％。处理后的硅粉还可进行熔化-固化-粉碎再处理,因此是一种技术上可行的太阳级硅制备新方法。文中还应用反应室鞘层厚度、硅粉沉降平均速度、考虑高能粒子刻蚀作用的刻蚀速率方程等进行理论分析,结果显示,在一定的工艺参数下,刻蚀提纯是有效的。这也为粉体表面刻蚀研究提供了新的思路。
粉体表面刻蚀 硅粉刻蚀纯化 太阳级硅 直流冷等离子体 直流辉光放电
王家鑫 尹盛 王飞 王敬义
华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074
国内会议
武汉
中文
930-932
2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）