Ge/Si纳米多层膜的光致发红光研究

摘要：

采用磁控溅射设备,当衬底温度为500℃时,在Si(100)基片上磁控溅射生长Ge/Si多层膜样品.使用Raman和低角X射线技术对样品进行检测和研究。在红光波段对样品的光致发光进行了研究,结果表明在红光波段发光峰位来源于薄膜的非晶结构及其薄膜所产生的缺陷；发光峰的强度和峰形受Ge子层和Si子层厚度的影响。

关键词： 纳米多层膜 PL谱 光致发光 磁控溅射 发光峰

作者: 杨瑞东 陈寒娴 邓荣斌 孔令德 陶东平 王茺 杨宇

作者单位: 昆明理工大学,材料与冶金工程学院,云南,昆明,650093;红河学院,物理系,云南,蒙自,661100 云南大学,材料科学与工程系,云南,昆明,650091 昆明理工大学,材料与冶金工程学院,云南,昆明,650093

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 95-97

在线出版日期: 2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）