半导体非线性光学材料的第一性原理研究

摘要：

通过第一性原理研究Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ2族CKP半导体中的CdSiAs2,计算了其双折射性,量化了双折射性同应力的线性关系,它的负双折射性使之能够通过应力、温度调节以及同CdGeAs2混合来设计非临界位相匹配材料。计算显示,少量的参杂Ge(＜5％),能够实现非临界位相匹配Ⅰ类二次谐波产生(SHG)在CO2激光谱线范围可调谐,它可能具有很高的有效x(2)。

关键词： 非线性光学材料 非临界位相匹配材料 密度泛函 CO2激光谱 第一性原理

作者: 姜晓庶 Walter R.L.Lambrecht

作者单位: 山西大学,物理电子工程学院,山西,太原,030006 Physics Department ,Case Western Reserve University, Cleveland Ohio USA 44106

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 334-336

在线出版日期: 2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）