Al0.15Ga0.85As/GaAs与In0.15Ga0.85As/GaAs甚长波QWIPs响应率的仿真对比

摘要：

对In0.15Ga0.85As/GaAs和Al0.15Ga0.85As/GaAs两种甚长波段量子阱红外探测器(QWIP)响应率进行计算。采用物理模型与等效电路模型,结合Crosslight和Spice等软件详细表征了这两种QWIPs的吸收系数、暗电流、响应率、量子效率等物理特性。结果表明随外加偏压的升高QWIP的响应率增加,T=40K时,In0.15Ga0.85As/GaAsQ WIP的响应率明显比In0.15Ga0.85As/GaAsQWIP高出2倍以上,通过对量子效率的对比,使仿真结果得到验证。

关键词： 量子阱红外探测器 AlGaAs GaAsInGaAs GaAs 吸收系数 响应率

作者: 雷玮 郭方敏 陆卫

作者单位: 华东师范大学,信息学院,上海,200062 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 214-216

在线出版日期: 2007-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）