用于微波电路的单层片式晶界层电容器

摘要：

研究了施主掺杂还原气氛烧结的SrTiO3基半导体瓷的组成与性能关系.通过等效电路分析,XRD、SEM显微结构观察,探讨晶界效应及其特性对瓷料性能作用的机理,从而制成介电系数可调(10000～50000),电容量变化率低(≤±4.7％～≤±22％),使用温域宽(-55℃～+125℃)的单层片式晶界层电容器瓷片.通过在瓷片上溅射和电镀方法制作电极,并以光刻腐蚀,精密加工成通用型,表面贴装型,多电极型和阵列型的单层片式电容器,用于微波电路。

关键词： 单层片式电容器 晶界层 介电系数 温度特性 微波电路

作者: 程超 蔡杨 杨俊峰 冯毅龙 赵海飞

作者单位: 广州翔宇微电子有限公司,广州,510288

会议类型: 国内会议

会议名称: 2007年全国微波毫米波会议

会议地点: 宁波

会议语种:中文

页码: 1162-1166

在线出版日期: 2007-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）