SiGe HBT的高频噪声相关性模型
本文对四种现有的考虑了集电极与基极电流散粒噪声之间相关性的SiGe HBT高频噪声模型:标准噪声模型(UNI)、两种SPICE噪声模型(SPN1,SPN2)以及热力学噪声模型,进行了分析和比较。以一个基于BiCMOS工艺制造的SiGe HBT为例,测试了它的S参数和最小噪声指数(NFmin),并用上述四种模型模拟了该晶体管的最小噪声指数(NFmin)等噪声参数。将模拟结果与所测结果进行了比较,检验了这四种模型的准确性。从结果对比中,可明显看出其中UNI和SPN2两个模型能在高频时较好地与测试结果相吻合。本文的研究将有助于高频噪声模型的选取和研究。
晶体管 SiGe HBT器件 噪声相关项 高频噪声模型
沙永萍 张万荣 谢红云
北京工业大学电控学院,北京,100022
国内会议
宁波
中文
805-809
2007-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）