一个经验的GaAs HEMT大信号模型

摘要：

提出一个经验的GaAs HEMT 大信号等效电路模型,沟道电流及偏置相关的本征电容模型方程高阶连续可导。模型考虑了自热效应引起的热功率耗散,以及跨导/漏导频率分布效应。测量和仿真的I-V、S参数以及功率特性对比结果表明模型达到了良好的精度。

关键词： 晶体管 HEMT器件 大信号等效电路模型 自热效应 GaAs材料 电子迁移率 沟道电流

作者: 吴颜明 孙玲玲 刘军

作者单位: 杭州电子科技大学微电子CAD所,杭州,310018

会议类型: 国内会议

会议名称: 2007年全国微波毫米波会议

会议地点: 宁波

会议语种:中文

页码: 783-786

在线出版日期: 2007-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）