T/R组件中低相位失真功率放大器研究

摘要：

提出一种简化的场效应晶体管模型,对模型中影响相位失真的两个主要非线性元件进行了详细的分析,推导出功率放大器的相位失真原理。根据分析结果对T/R组件中发射支路的末级功率放大器进行了优化设计,实测结果相位失真得到明显改善.

关键词： 相位失真 功率放大器 场效应晶体管模型 非线性元件

作者: 曹磊

作者单位: 中国西南电子技术研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 2007年全国微波毫米波会议

会议地点: 宁波

会议语种:中文

页码: 1289-1291

在线出版日期: 2007-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）