毫米波MEMS单片集成移相器

摘要：

本文介绍了毫米波反射型MEMS单片移相器的设计、制造和测试。实测性能与设计结果吻合较好,达到的电性能指标为:在35GHz-38GHz范围内,电压驻波比小于1.8,参考状态插损为3.5±1.0dB,相移状态插损为2.0±0.6dB,相移为180°±6°.芯片尺寸:2.6mm×2.1mm×0.2mm.

关键词： 毫米波 微电子机械系统 单片集成 移相器

作者: 戴永胜 张宇峰 祁高品 朱建 郁元卫

作者单位: 南京理工大学 南京电子器件研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 2007年全国微波毫米波会议

会议地点: 宁波

会议语种:中文

页码: 1139-1142

在线出版日期: 2007-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）