Ka频段自给偏置低噪声放大器MMIC设计
设计了一个Ka频段低噪声放大器MMIC,该芯片采用四级放大的结构,通过调节有源器件的几何尺寸(栅宽和叉指数)和源极串联负反馈,减小最佳噪声匹配点(г0)和共轭匹配点(S*11)之间的距离,使低噪声放大器同时获得最佳噪声匹配和共轭匹配.另一方面,该放大器芯片采用了自给偏置设计,实现单电源供电.该放大器芯片采用商用的0.18-μm pHEMT工艺制造,芯片面积为3×1mm2.经测试,该芯片在26-40GHz频率范围内,实现增益大于18dB,35GHZ处噪声系数约为2.7dB.
低噪声放大器 Ka频段 集成电路
杨自强 杨涛 刘宇
电子科技大学,电子工程学院,四川,成都,610054
国内会议
宁波
中文
779-782
2007-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）