高稳功率介质振荡器的研究

摘要：

本文介绍了一种高稳定度的GaAsFET大功率介质振荡器.该振荡器采用漏极输出的电路结构,很好的解决了功率、频稳、相噪等关键问题。在C波段,本介质振荡器输出功率可达到150毫瓦,并在-40摄氏度到70摄氏度的温度范围内频率变化小于0.6MHz,该介质振荡器的相位噪声在频偏5KHz处的数值低于-90dBc/Hz .制作的体积为50×50×30毫米.

关键词： 介质振荡器 输出功率 频率稳定度 相位噪声 电路结构

作者: 王占利 王朋 赵瑞华

作者单位: 中国电子科技集团公司电子第十三研究所,石家庄,050051

会议类型: 国内会议

会议名称: 2007年全国微波毫米波会议

会议地点: 宁波

会议语种:中文

页码: 777-778

在线出版日期: 2007-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）