具有高电流处理能力的多发射极条微波功率GeSi HBT

摘要：

本文对多发射极条(指)微波功率GeSi HBT进行了设计、制造,并对电流处理能力进行了研究。实验结果表明,对20-80指的GeSi HBT,发射极单位长度的电流密度I0在1.67--1.06A/cm之间变化。随发射极条数的增加,I0逐渐减少,电流处理能力减弱.分析认为这是由于发射极条之间的热耦合导致有源区的温度非均匀分布。我们所得到的I0值,远大于Si BJT的I0(典型值为0.4A/cm),和所报道的GeSi HBT的0.79 A/cm,证明多指GeSi HBT 具有大的电流处理能力。

关键词： 双极晶体管 锗硅异质结 热耦合效应 电流处理能力 微波功率

作者: 沈珮 李佳 甘军宁 张万荣 谢红云 金冬月 邱建军 王扬 何莉剑 张蔚 沙永萍

作者单位: 北京工业大学电子信息与工程控制学院,北京,100022

会议类型: 国内会议

会议名称: 2007年全国微波毫米波会议

会议地点: 宁波

会议语种:中文

页码: 657-660

在线出版日期: 2007-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）