InP基共振遂穿二极管隔离层厚度对器件I-V特性影响的研究

摘要：

本文对AlAs/InGaAs/InAs共振遂穿二极管(RTD)不同厚度隔离层对器件I-V特性的影响进行了研究,研究发现器件的峰谷电流密度在负微分电阻区会随着隔离层材料厚度的增加而降低,同时,在一定隔离层厚度范围内峰谷电流比随着隔离层材料厚度的增加而增加。通过优化材料结构,研制出峰谷电流比PVR=20的InP基RTD器件。

关键词： 共振遂穿二极管 分子束外延 隔离层厚度 I-V特性 峰谷电流比

作者: 韩春林 张杨 曾一平 高建峰 薛舫时 陈辰

作者单位: 单片集成电路和模块国家级重点实验室,南京电子器件研究所,南京,210016 中国科学院半导体研究所,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 2007年全国微波毫米波会议

会议地点: 宁波

会议语种:中文

页码: 625-627

在线出版日期: 2007-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）