带迟滞的零温度系数欠压闭锁CMOS电路设计

摘要：

本文采用CMOS工艺设计了一种带迟滞的零温度系数的欠压闭锁电路。与传统采用BiCMOS工艺设计的电路相比,本文电路工艺成本低,易于实现。本文电路由带隙比较器结构产生零温度系数的阈值电压,提高了欠压闭锁电路阈值电压的精度和温度特性,同时通过反馈实现迟滞,克服了单一阈值的弱抗干扰能力。本文设计的欠压闭锁电路可用于充电器和DC-DC转换器等电源管理芯片.

关键词： CMOS工艺 欠压闭锁电路 带隙比较器 互补金属氧化物半导体 半导体电路设计

作者: 鞠家欣 朱宇帅 黄南

作者单位: 北方工业大学微电子学系,北京,100041

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国青年通信学术会议

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 871-876

在线出版日期: 2007-08-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）