MFMIS结构铁电场效应晶体管研究

摘要：

采用磁控溅射法制备了(111)向择优的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)铁电薄膜,并结合半导体集成技术制备了金属/铁电/金属/多晶硅/绝缘层/Si衬底(MFMIS)结构的p沟道铁电场效应晶体管.研究表明具有顺时针的Id-Vg滞回曲线的p沟道PZT铁电场效应晶体管能实现极化存储性能,并且在-5V到+5V的Va电压下从Id-Vg滞回曲线中都得到了1V的存储窗口.存储窗口随-Vg的增大而增大。

关键词： 磁控溅射 MFMIS 铁电场效应晶体管 存储窗口

作者: 蔡道林 李平 翟亚红 张树人

作者单位: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国青年通信学术会议

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 409-413

在线出版日期: 2007-08-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）