一种采用CMOS 0.18um制造的用于无线互连的片上缝隙天线

摘要：

本文采用标准0.18um CMOS工艺设计制造了两根不同缝隙宽度(10um和100um),工作在～36GHz的片上缝隙天线.分别对相距3mm的两根缝隙宽度为10um及两根缝隙宽度为100um的片上缝隙天线的S11及S21进行了仿真和测试,结果表明采用标准的0.18um CMOS工艺设计制造片上缝隙天线是完全可行的,同时也表明尽管存在低电阻率硅衬底对天线辐射性能的影响,宽缝天线仍然比窄缝天线拥有更高的传输增益。

关键词： 片上缝隙天线 无线互连 低电阻率 CMOS工艺

作者: 江亮 尹文言 毛军发

作者单位: 上海交通大学,上海,200240

会议类型: 国内会议

会议名称: 2007年全国微波毫米波会议

会议地点: 宁波

会议语种:中文

页码: 402-405

在线出版日期: 2007-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）