RSD器件通态损耗对脉冲电流峰值的影响研究

摘要：

反向开通复合管RSD基于反向预充开通方式,具有在整个芯片面积上均匀导通、容易串并联、高电流上升率、寿命长等优点。本文在不同电阻负载下,进行了高电压试验。试验结果表明,负载相同时,RSD在开通大电流时,器件损耗对电路影响很小,放电电压与脉冲电流峰值基本呈线性关系,电流峰值主要由外电路参数决定,RSD在导通高幅值宽脉冲电流时,依然具有很高效率。

关键词： 脉冲开关 脉冲电流峰值 放电电压 电路参数 高电压试验 电阻负载 RSD器件

作者: 彭亚斌 余岳辉 梁琳 王玉彬 刘建超

作者单位: 华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074

会议类型: 国内会议

会议名称: 2007年中国科学技术协会年会

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 204-207

在线出版日期: 2007-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）