垂直磁场下GaAs/AlAs/InGaAs应变RTD电流输运特性研究

摘要：

通过研究垂直磁场对GaAs/AlAs/InGaAs应变RTDⅠ-Ⅴ特性的影响,从实验上解释了Ⅰ-Ⅴ负阻区”平台”现象来源于发射极子能级和量子阱子能级之间的相互耦合.外加垂直磁场抑制电子共振能级隧穿,引起峰值电流随磁场线性减小,导致峰谷电流比下降,同时峰值电压也发生相应的变化。

关键词： 应变RTD 垂直磁场 化合物半导体 Ⅰ-Ⅴ特性曲线 发射极子能级 量子阱子能级 电流输运 共振隧穿二极管

作者: 汤乃云

作者单位: 上海电力学院,电子科学与技术系,上海,200090

会议类型: 国内会议

会议名称: 第一届中国高校通信类院系学术研讨会

会议地点: 扬州

会议语种:中文

页码: 120-124

在线出版日期: 2007-07-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）