料浆涂敷技术制备CuInSe2薄膜

摘要：

用机械球磨方法研磨Cu-In合金和Se粉制备前驱体料浆,并将前驱体料浆涂敷在Mo箔上形成前驱体薄膜,进而在H2气氛中热处理成功制备CuInSe2薄膜.利用激光粒度分析仪、热重/差热联用仪(TG-DTA)和X-射线衍射仪(XRD)分析前驱体料浆,并且利用XRD、扫描电镜(SEM)和其配备的能谱仪(EDS)对CuInSe2薄膜进行分析和表征.结果表明:CuInSe2物相在180℃就已形成,并且随着温度升高晶体的结晶度逐步提高；在各个温度下制备的CuInSe2薄膜均是以(112)晶面择优取向；在硒化前对前驱体薄膜进行压制使其致密是制备优良CuInSe2薄膜的关键因素之一。

关键词： CuInSe2薄膜 硒化 铜铟合金 料浆涂敷

作者: 聂洪波 王延来 果世驹 倪沛然 杨永刚 尚斌

作者单位: 北京科技大学,材料科学与工程学院,北京,100083 无锡爱芯科微电子有限公司,无锡,214028

会议类型: 国内会议

会议名称: 2007全国粉末冶金学术及应用技术会议暨海峡两岸粉末冶金技术研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 363-369

在线出版日期: 2007-09-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）