高性能CMOS低噪声放大器的设计

摘要：

本文讨论了射频CMOS低噪声放大器的相关设计问题、对比了几种提高线性度的方法、引入额外栅源电容及PMOSIMD，从而改善了线性度与功耗.实现了高线性度低功耗2.4 GHz CMOS LNA，功耗仅为4.3 mW.本文采用Chartered0.18 μm RF CMOS工艺及ADS仿真器.

关键词： 低噪声放大器 射频电路 额外栅源电容 CMOS工艺

作者: 樊君 解永平 戴由旺

作者单位: 大连理工大学电子系,大连,116024

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届全国信息获取与处理学术会议

会议地点: 秦皇岛·北戴河

会议语种:中文

页码: 457-458

在线出版日期: 2007-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）