光致变色二芳烯掩膜在近场光存储中的应用

摘要：

合成了在Super-rens存储方式中适合做掩膜层和记录层材料的两种全氟二芳烯，旋涂法制备了实验存储盘片，并进行了近场存储实验.初步的实验表明光致变色二芳烯掩膜层可以缩小聚焦激光的直径，得到小尺寸记录信息.掩膜层中二芳烯的浓度，对近场存储结果影响很大，存在一个最佳浓度使记录光斑的尺寸减少到最小、(从1.6μm减小至1.0μm).

关键词： 物理化学 光致变色 超分辨掩膜 旋涂法 存储盘片

作者: 石明 牛丽红 佟庆笑 唐应武 张复实

作者单位: 清华大学化学系有机光电子与分子工程教育部重点实验室,北京,100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006中国科协年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 230-233

在线出版日期: 2006-09-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）