GaN的离子辐照效应

摘要：

本文首先采用背散射/沟道(RBS/channeling)技术分析了GaN的结构参数、结晶品质,然后注入He2+,N+离子,研究注入产生的电阻变化和晶格损伤.在不同的温度下,氮气保护退火30分钟,用Hall法测量电阻率,发现GaN的电阻率增大6-8个数量级.在200-400℃左右退火,电阻率变化最大.

关键词： GaN 电阻率 离子注入 辐照损伤 Hall法

作者: 周生强 姚淑德 焦升贤 孙长春 孙昌

作者单位: 北京大学,技术物理系 北京大学,技术物理系;北京大学,重离子物理研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 2001年超精细相互作用与核固体物理研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 91-96

在线出版日期: 2001-02-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）