生长温度对Ge2Sb2Te5薄膜的相变行为以及微观结构的影响

摘要：

本文采用射频磁控溅射方法,分别在玻璃和具有本征氧化层的Si(100)基片上制备了Ge2Sb2Te5相变薄膜.利用X射线衍射仪、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、紫外分光光度计等对薄膜进行了表征,研究了不同生长温度(室温～300℃)的Ge2Sb2Te5薄膜的表面形貌和结晶特性.分析结果表明:室温沉积的薄膜为非晶态;沉积温度为100℃～250℃时,薄膜转变为晶粒尺度约14 nm的面心立方结构;300℃～350℃沉积的薄膜有少量的六方相出现.薄膜表面粗糙度随着沉积温度的升高逐渐递增,且薄膜的反射率变化与表面粗糙度有直接的关系.

关键词： Ge2Sb2Te5薄膜 射频磁控溅射 表面形貌 薄膜反射率 生长温度

作者: 都健 潘石 吴世法 张庆瑜

作者单位: 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024 大连理工大学物理系,辽宁,大连,116024

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国扫面隧道显微学学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 328-332

在线出版日期: 2006-08-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）