磁控溅射生长CdxZn1-xO薄膜的表面形貌、结晶特性和光学性能研究
本文采用射频反应磁控溅射方法,在Si(100)上制备了不同Cd含量的CdxZn1-xO的薄膜.利用电子探针(EPMA)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)对薄膜的成分、表面形貌和晶体结构进行系统表征.结果表明:CdxZn1-xO(0≤x≤0.179)薄膜具有c轴择优取向,随着Cd含量增加,薄膜半峰宽(FWHM)变大,表面粗糙度增加,当x=0.108时出现相分离.透射光谱测试表明,通过调节Cd含量实现了对CdxZn1-xO的薄膜能带的调节.
CdxZn1-xO薄膜 磁控溅射 能带调节 结晶特性 光学性能
郭建成 潘石 孙成伟 吴世法 孙伟
大连理工大学物理系,辽宁,大连,116023 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116023
国内会议
大连
中文
316-319
2006-08-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)