单脉冲飞秒激光作用下晶态GeSb2Te4相变薄膜的非晶化过程
利用飞秒激光的抽运-探测技术,研究了单脉冲飞秒激光作用下GeSb2Te4相变薄膜的非晶化过程,测量了相变薄膜的时间分辨光学显微图.所研究的系统为多层薄膜结构100 nm ZnS-SiO2/35 nm GeSb2Te4/120 nmZnS-SiO2/0.6 mm,飞秒激光的脉冲宽度为108 fs,波长为800nm.实验发现相变薄膜从晶态至非晶态的相转变过程可以在2.6 ns内完成.讨论了相变薄膜的厚度对系统的热传递、快速凝固过程的影响,分析了相关热过程和热效应,解释了抽运-探测实验数据,并探讨了单脉冲飞秒激光诱导相变薄膜非晶化的机制.
相变薄膜 GeSb2Te4薄膜 单脉冲飞秒激光 抽运探测 非晶化 光存储
黄素梅 靳彩霞 黄士勇 陈亦卫 赵振杰 孙卓
华东师范大学纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心,上海,200062
国内会议
广州
中文
156-159
2006-11-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）