氧含量对RF磁控溅射ZnO薄膜结构特性的影响

摘要：

本文采用射频(RF)磁控溅射的方法,通过改变工作气氛中氩气和氧气的比例,在Si(100)衬底上沉积出具有高度C轴择优取向的ZnO薄膜.实验发现随着O2/Ar+O2比的增加,薄膜的沉积速率下降.O2/Ar+O2比对薄膜结晶状态有明显影响,O2/(Ar+O2)比约为0.45,薄膜结晶质量较好.

关键词： ZnO薄膜 射频磁控溅射 XRD分析 氧含量 射频

作者: 马晓翠 柳文军 朱德亮 曹培江 江宗章 萧活杰

作者单位: 深圳大学材料学院;深圳市特种材料重点实验室,深圳,518060 深圳大学材料学院

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 530-533

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）