PbSe外延薄膜空穴迁移率及其声子散射机理研究
本文采用分子束外延生长了非人为掺杂的PbSe单晶薄膜,研究了薄膜中声子散射对空穴迁移率的影响.霍尔效应和电阻率测量得到PbSe薄膜均具有p型导电性,载流子浓度为(5～8)×1017 cm-3,室温空穴迁移率为～300 cm2/v·s,随温度降低迁移率增大,77K温度下的迁移率达到3×103 cm2/v·s.通过对PbSe材料的杂质电离极化散射、声学波形变散射、声学波压电散射、光学波非极性散射及其光学波极性散射的迁移率理论计算,结果表明,在77K～295K温度范围,PbSe的长纵光学波散射是影响载流子迁移率的主要散射机理.同时,Raman光谱测量显示,在温度＞200K,不仅观察到了PbSe长纵光学声子散射LO(Γ),还观察到了其它光学声子的散射,这些观察到的声子散射影响了PbSe的空穴迁移率.
PbSe薄膜 迁移率 光学波散射 散射机理 光学声子
斯剑霄 吴惠桢 徐天宁 曹春芳
浙江大学物理系、硅材料国家重点实验室,杭州,310027;浙江师范大学数理信息学院,金华,321004 浙江大学物理系、硅材料国家重点实验室,杭州,310027
国内会议
广西北海
中文
525-529
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）