生长温度对ZnO膜结构性质和表面形貌的影响
本文利用金属蒸气作为气源的气相外延技术(MVPE)直接在c-面兰宝石衬底上外延生长ZnO膜.研究了生长温度对ZnO膜结构性质和表面形貌的影响.实验结果表明,在低的生长温度(610℃)下,ZnO膜以(114)晶向择优生长;在较高的生长温度下,得到了以(002)晶向择优生长的ZnO膜;在638℃得到了单晶ZnO膜,DCXRD摇摆曲线的半高宽为1200 arcsec.随着生长温度的升高,样品表面有大的晶粒形成,变得粗糙.通过进一步地优化生长工艺,利用该MVPE生长技术能得到快速生长的ZnO单晶厚膜,用于ZnO和GaN外延生长的衬底材料.
ZnO 生长温度 气相外延技术 表面形貌
王晓峰 段垚 崔军朋 曾一平
中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083
国内会议
广西北海
中文
519-522
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）