应变对PbSe材料晶格振动的影响
本文在晶格失配的BaF2衬底上用分子束外延技术生长了不同厚度的PbSe单晶薄膜,PbSe外延薄膜的拉曼光谱测量到:位于136-143 cm-1之间的布里渊区中心纵光学声子(LO)振动,位于83-88 cm-1之间的纵光学声子与横光学声子的耦合模(LO-TO)振动,以及位于268-280 cm-1之间的2LO声子振动.而且PbSe薄膜的LO声子频率随薄膜厚度不同的明显移动,随着薄膜的厚度减小声子频率线性增大,这是由外延膜与衬底之间的失配应力不同引起的.为了理解PbSe声子振动模拉曼活性的物理原因,我们还比较分析了PbSe体单晶的拉曼光谱,同样,PbSe体单晶样品也呈现出拉曼活性的散射峰.
PbSe外延薄膜 拉曼光谱 光学声子 晶格失配
曹春芳 吴惠桢 徐天宁 斯剑霄 陈静 沈文忠
浙江大学物理系固体电子材料物理与器件实验室,杭州,310027;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 浙江大学物理系固体电子材料物理与器件实验室,杭州,310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 上海交通大学物理系,上海,200030
国内会议
广西北海
中文
503-507
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）