SiO2/Si衬底上制备增强型ZnO薄膜晶体管

摘要：

在NH3和O2的混合气氛下,本文采用激光分子束外延法(L-MBE)在SiO2/p-Si衬底上制备氮掺杂ZnO薄膜,XRD分析表明ZnO薄膜掺入微量的氮后仍有很高的结晶质量和高度的C轴择优取向性,(0002)面摇摆曲线的半峰宽仅为1.89°;并在此基础上制备了以氮掺杂ZnO薄膜为沟道层、以SiO2为绝缘层的底栅式薄膜晶体管,电学测试表明该晶体管工作在N沟道增强模式,阈值电压为5.15V,电流开关比为104,电子的场迁移率达到2.66 cm2/V·S.

关键词： ZnO薄膜 激光分子束外延 薄膜晶体管 迁移率

作者: 张新安 张景文 王东 毕臻 边旭明 张伟风 侯洵

作者单位: 西安交通大学陕西省信息光子技术重点实验室,西安,710049;河南大学物理与信息光电子学院,开封,475001 西安交通大学陕西省信息光子技术重点实验室,西安,710049 河南大学物理与信息光电子学院,开封,475001

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 477-480

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）