半绝缘6H-SiC单晶的生长研究

摘要：

本文用升华法生长出了电阻率高达1.8×1010 Ωcm的半绝缘6H-SiC体块晶体.用二次离子质谱(Secondary Ion Mass Spectrometry-SIMS)、辉光放电质谱(Glow Discharge Mass Spectroscopy-GDMS)测量了晶体和原料中的杂质浓度,包括硼、铝、钒.结果表明钒的浓度会影响生长晶体的质量.

关键词： 半绝缘 碳化硅 升华法 二次离子质谱

作者: 宁丽娜 胡小波 陈秀芳 李娟 王英民 姜守振 徐现刚

作者单位: 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 535-538

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）