脉冲激光沉积法Li-N双受主共掺p型ZnO薄膜的生长及其特性

摘要：

本文采用脉冲激光沉积技术制备了Li-N双受主共掺杂p型ZnO薄膜,其中Li来自Li掺杂ZnO陶瓷靶,N来自N2O生长气氛.室温Hall测试发现Li-N共掺p型ZnO薄膜的最低电阻率为3.99Ωcm,迁移率为0.17cm2/Vs,空穴浓度为9.12×1018 cm-3.PL谱测试发现了与Li受主和N受主态相关的发光峰,其受主能级分别约为120meV和222meV.由p-ZnO:(Li,N)薄膜制备的ZnO同质p-n结具有整流特性.

关键词： Li-N双受主共掺杂 脉冲激光沉积 ZnO薄膜

作者: 张银珠 叶志镇 吕建国 何海平 顾修全 赵炳辉

作者单位: 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 440-443

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）