PLD法制备锑掺杂p型ZnO薄膜

摘要：

本文采用脉冲激光沉积方法在石英衬底上生长了掺锑(Sb)的p型ZnO薄膜.X射线衍射测试表明薄膜具有c轴择优取向的结构特性,霍尔测试表明ZnO薄膜呈p型导电特性,XPS分析表明Sb掺入了ZnO薄膜,且Sb掺入ZnO中是占据Zn的位置,而不是O的晶格位置.通过优化温度获得了电学性能优良的p型ZnO薄膜,其电阻率为2.21Ωcm,迁移率为1.23 cm2/V.s,空穴浓度为2.30×1018 cm-3.

关键词： 脉冲激光沉积 锑掺杂 ZnO薄膜

作者: 潘新花 叶志镇 朱丽萍 顾修全 何海平

作者单位: 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 436-439

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）