溅射压强对直流磁控溅射ZnO:Ga透明导电薄膜特性的影响

摘要：

本文通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了溅射压强对ZnO:Ga透明导电薄膜结构、形貌和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明所制备的薄膜具有c轴择优取向的六角多晶结构.SEM测试表明薄膜的形貌强烈依赖于沉积压强的变化.沉积薄膜的最低电阻率可达4.48×10-4 Ω·cm,在可见光范围内平均透射率超过90％.

关键词： 透明导电氧化物薄膜 磁控溅射 光电特性 X射线衍射

作者: 马全宝 朱丽萍 叶志镇 何海平 王敬蕊 赵炳辉

作者单位: 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 431-435

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）