生长参数对MOCVD法制备的p型ZnO薄膜性能的影响

摘要：

本文研究了等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法制备N掺杂p型ZnO薄膜过程中生长参数如衬底温度、射频功率、锌源流量对ZnO薄膜结晶质量和电学性能的影响.

关键词： ZnO p型掺杂 金属有机化学气相沉积 射频等离子体 生长参数

作者: 卢洋藩 叶志镇 曾昱嘉 徐伟中 朱丽萍 赵炳辉

作者单位: 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 427-430

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）