PLD法合成MgxZn1-xO纳米柱阵列

摘要：

本文使用脉冲激光沉积法(PLD)在Si(100)衬底上无催化生长出了MgxZn1-xO纳米柱阵列.扫描电镜结果发现:在较大的范围内,直径为30～50 nm、长度约为60 nm均匀分布的纳米柱阵列生长在一层厚度约为70 nm的纳米晶薄膜上.XRD结果中的(002)峰和PL谱中的带边发射峰相对于纯ZnO薄膜都发生了不同程度的偏移,表明了Mg组分的掺入改变了ZnO的晶格常数和带隙宽度.分析了MgxZn1-xO纳米柱的生长机制.

关键词： ZnO 能带工程 纳米材料 纳米柱阵列 脉冲激光沉积法

作者: 顾修全 朱丽萍 叶志镇 何海平 张银珠 赵炳辉

作者单位: 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 422-426

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）