ZnO材料的带边光致发光研究

摘要：

本文采用变温PL谱方法研究了四种不同ZnO材科室温带边发光峰(NBE)的起源.根据具体材料的不同,在NBE中占主导地位的跃迁可能有激子复合,自由电子-中性受主跃迁,包含深能级中心的施主-受主对复合,以及声子伴峰.本文的结果有助于对ZnO材料室温NBE起源的判断和对ZnO材料中缺陷行为的研究.

关键词： ZnO 带边发光 半导体材料 变温PL谱

作者: 何海平 叶志镇 唐海平 黄海辉 陈兰兰 朱丽萍 赵炳辉

作者单位: 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 418-421

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）