用PLD方法制备Li掺杂的P型ZnMgO
本文在玻璃衬底上用PLD的方法成功制备出具有高度(0002)取向性的、晶体质量较好的Li掺杂为0.4at％的P-型Zn0.8Mg0.2O薄膜.衬底温度对薄膜的电学性能及结晶质量有重要影响,实验得出:在500℃时薄膜的电学性能最好,其载流子浓度为5.1×1018 cm-3,电阻率为6.58Ωm,霍尔迁移率为0.189cm2/v.s.而且制备出的薄膜在可见光区具有90％的高透射率及在室温下光学禁带宽度3.625ev.
Li掺杂 PLD方法 P型ZnMgO 玻璃衬底
仇明侠 叶志镇 顾修全 何海平 朱丽萍
浙江大学硅材料国家重点试验室
国内会议
广西北海
中文
414-417
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）