Si(111)衬底上GaN的GSMBE生长及组分渐变AlxGa1-xN缓冲层的作用

摘要：

使用NH3源MBE在Si(111)衬底上生长了(0001)面的六方GaN外延层.插入不同层数和组分的AlzGa1-xN缓冲层后,发现AlxGa1-xN层的组分变化越平滑,GaN外延层中的张应力就越小,同时微裂纹密度也越低.得到的GaN外延层(0002)峰的双晶X射线摇摆曲线半高宽为13.0弧分,原子力显微镜(AFM)5μm×5μm扫描的均方根粗糙度为2.002 nm。

关键词： 分子束外延 氮化镓外延层 硅衬底 铝镓氮薄膜

作者: 林郭强 曾一平 王晓亮 刘宏新

作者单位: 中国科学院半导体研究所,北京市,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 415-418

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）