AlGaN/AlN/GaN肖特基二极管的电学性能研究

摘要：

利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长的AlGaN/AlN/GaN/蓝宝石材料制备了AlGaN肖特基二极管.器件的肖特基接触和欧姆接触分别为Ti/Pt和Ti.Al/Ti/Au,都是采用电子束蒸发的方法沉积.AlGaN表面的欧姆接触的比接触电阻率为7.48×10-4Ω.Cm-2,器件的电流-电压(I-V)测试表明该AlGaN肖特基二极管具有较好的整流特性.根据器件的正向I-V特性,计算得到器件的势垒高度和理想因子分别为0.57eV、4.83.将器件在300℃中温退火,发现器件的电学性能有所改善。

关键词： AlGaN/AlN/GaN异质结 肖特基二极管 势垒高度 金属有机化学气相淀积 肖特基接触 欧姆接触 电学性能

作者: 王新华 马志勇 胡国新 曾一平 李晋闽 王晓亮 肖红领 王翠梅 冉军学 罗卫军 王保柱 冯春 杨翠柏

作者单位: 中国科学院半导体研究所,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 407-410

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）