Al组分阶变势垒层AlGaN/AlN/GaN HEMTs的结构制备及性能研究

摘要：

用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上生长了Al组分阶变势垒层结构的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构材料.用三晶X射线衍射(TCXRD)和原子力显微镜(AFM)对材料的结构、界面特性和表面形貌进行了研究,测试结果表明该材科具有优良的晶体质量和表面形貌,GaN(0002)衍射峰的半高宽为4.56 arcmin,AFM 5μm×5μm扫描面积的表面均方根粗糙度为0.159nm;TCXRD测试中在AlGaN(0002)衍射峰右侧观察到Pendell(O)sung条纹,表明AlGaN势垒层具有良好的晶体质量和高的异质结界面质量.

关键词： AlGaN/AlN/GaN材料 化合物半导体材料 Penedll条纹 金属有机物化学气相沉积 高电子迁移率 晶体管 结构材料 异质结

作者: 马志勇 王晓亮 胡国新 肖红领 王翠梅 冉军学 李建平

作者单位: 中国科学院半导体研究所,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 403-406

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）