采用AlN缓冲层在Si(111)衬底上生长GaN形貌的研究

摘要：

本文针对Si衬底生长GaN特有的形貌采用SEM、EDS、AFM等手段进行了分析,研究了采用AlN作为缓冲层生长的GaN的生长模式、缺陷形成机理、应力释放机制.并且发现缓冲层厚度和外延层生长温度对裂纹和表面缺陷的形成有很大的影响.

关键词： Si衬底 AlN缓冲层 GaN薄膜 表面缺陷 外延生长

作者: 刘喆 王晓亮 王军喜 胡国新 李建平 曾一平 李晋闽

作者单位: 中国科学院半导体研究所,材料科学中心,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 399-402

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）